업계에서 거론되는 수율 추정치에 따르면, 중국 CXMT가 HBM3를 100개 만들 때 최종적으로 사용 가능한 제품은 약 25개 수준입니다. 그런데 이 수율 문제를 D램 자체의 미세공정 기술만으로 설명하기는 어렵습니다. 여러 장의 D램을 쌓고 연결하는 HBM 후공정과 적층 과정도 중요한 변수이기 때문입니다.
TSV란 무엇인가
HBM은 D램을 일반 제품처럼 평면에 늘어놓지 않고 여러 층으로 쌓아 올립니다. HBM이 일반 D램과 어떻게 다른지 먼저 확인하면 이해가 빠릅니다.
TSV(실리콘관통전극)는 이렇게 쌓은 층들을 위아래로 전기적으로 연결하는 초미세 수직 통로입니다. 얇게 깎은 실리콘판에 미세한 구멍을 뚫고, 절연막과 구리를 채운 뒤 표면을 평탄하게 다듬는 여러 단계를 거쳐 완성됩니다.
하나의 TSV라도 결함이 생기면 해당 다이 또는 패키지 전체에 영향을 줄 수 있어, 반도체 공정 중에서도 정밀도 요구가 가장 높은 축에 속합니다.
HBM은 왜 수율이 어려운가
HBM 수율은 한 단계가 아니라 여러 단계의 영향을 받습니다. D램 다이 자체에서 문제가 생길 수 있고, TSV를 포함한 후공정에서도 문제가 생길 수 있습니다.
여러 장의 다이를 하나로 적층하기 때문에, 개별 다이의 문제뿐 아니라 적층·본딩 과정에서 발생한 문제가 최종 패키지의 수율에 영향을 줄 수 있습니다.
즉 HBM은 D램을 잘 만드는 것만으로 끝나는 제품이 아니라, 이 여러 단계를 모두 통과해야 하는 제품입니다.
TSV 개수로 본 격차
일부 반도체 분석(노마드세미 기준)에 따르면 삼성전자 HBM2 기준 다이 한 장당 TSV가 5,000개 이상, SK하이닉스 HBM3는 8,000개 이상 형성돼 있는 반면, CXMT는 3,000개 안팎으로 파악됩니다.
다만 세대와 적층 구조가 다르기 때문에 숫자 자체를 단순 비교하기보다는, 더 많은 연결을 안정적으로 구현하고 높은 수율로 양산할 수 있는지가 중요합니다. TSV 개수가 적다는 것 자체가 기술력이 낮다는 뜻은 아닙니다. 삼성전자가 최근 공개한 HBM5·zHBM 로드맵도 이런 적층·연결 기술 고도화 경쟁의 연장선에 있습니다.
삼성도 처음부터 잘하지는 않았다
다만 이 격차를 CXMT의 실패로 단정하기는 이릅니다. 업계에서는 삼성전자 역시 HBM4 초기 수율이 60% 수준에서 6개월 만에 80%까지 개선됐다는 분석이 나온 바 있습니다.
수율은 시간이 지나며 개선될 수 있지만, 그 과정에서 공정 경험과 장비·소재 최적화 노하우가 함께 쌓입니다. 지금의 격차는 단순 미세공정 차이만으로 설명하기 어렵고, 이런 후공정·적층 노하우가 중요한 변수입니다.
투자 포인트
CXMT의 D램 생산능력 확대와 HBM 양산 능력은 별개의 문제입니다. 가장 먼저 볼 지표는 실제 양산 수율 발표 여부와 고객 인증 소식입니다. 그 외에도 다음을 함께 확인하면 좋습니다.
① 실제 양산 수율 — 발표가 아니라 실제 생산 안정화 여부 ② 고객 인증 — 실제 HBM 시장 진입 여부 ③ HBM 세대 전환 — HBM3에서 HBM4로 얼마나 빨리 넘어가는지 ④ TSV·적층 안정화 — 후공정 수율 개선 여부 ⑤ 생산량 확대 — 낮은 수율을 극복하고 실제 출하량을 늘리는지. 엔비디아 루빈울트라가 HBM을 얼마나 요구하는지 보면 이 경쟁이 왜 중요한지 감이 잡힙니다.
🚀 한 줄 요약: CXMT의 HBM 수율 부진은 D램 자체의 미세공정뿐 아니라 TSV를 포함한 후공정·적층 노하우가 중요한 변수라는 점을 보여주며, 이런 양산 노하우는 단기간에 확보하기 쉽지 않은 영역입니다.
💬 CXMT 같은 후발주자의 기술 격차를 판단할 때, 여러분은 어떤 지표를 가장 먼저 확인하시겠습니까?
이 글은 투자 판단을 위한 참고 자료이며, 특정 종목의 매수·매도를 권유하지 않습니다.
진 (Jin) — 개인 투자자로서 공시, 실적 자료, 산업 리포트를 직접 확인하며 분석 글을 작성합니다. 단순 뉴스 요약이 아니라, 숫자 이면에 있는 의미와 시장 반응의 이유를 정리하는 데 집중합니다. 특정 종목 추천이나 매수·매도 권유는 하지 않으며, 투자 판단에 필요한 사실 관계를 명확히 전달하는 것을 목표로 합니다.