중국 HBM 수율 25%, D램은 되는데 왜 TSV에서 막힐까?

업계에서 거론되는 수율 추정치에 따르면, 중국 CXMT가 HBM3를 100개 만들 때 최종적으로 사용 가능한 제품은 약 25개 수준입니다. 그런데 이 수율 문제를 D램 자체의 미세공정 기술만으로 설명하기는 어렵습니다. 여러 장의 D램을 쌓고 연결하는 HBM 후공정과 적층 과정도 중요한 변수이기 때문입니다.

HBM 적층 구조와 수직 TSV 배선 개념도

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삼성전자 HBM5·zHBM 로드맵 공개, 목표 성능 2배·8배의 의미

삼성전자가 HBM4E 다음 세대 메모리 로드맵을 공개했습니다. 개발 중인 HBM5는 HBM4E 대비 성능을 2배로 높이는 것을 목표로 하고, 차세대 3D 메모리 zHBM은 목표치가 8배까지 올라갑니다.

쉽게 말하면, 메모리를 GPU 옆에 나란히 두던 방식에서 GPU 위에 바로 쌓아 올리는 방식으로 바뀌는 겁니다.

삼성전자 HBM5 zHBM 차세대 메모리 로드맵

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HBM보다 원가 비중이 크다? 엔비디아 베라 루빈의 ‘소캠2’가 뭐길래

AI 반도체 이야기에서 가장 먼저 떠오르는 메모리는 단연 HBM입니다. 그런데 엔비디아의 차세대 플랫폼 베라 루빈(Vera Rubin)을 뜯어보면, 조금 이상한 숫자가 하나 등장합니다.

HBM4보다 원가 비중이 더 큰 메모리가 있습니다. 바로 SOCAMM2(소캠2)입니다.

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삼성전자 zHBM 공개, GPU 위에 메모리를 쌓는 시대 오나

“GPU 옆이 아니라 GPU 위에 메모리를 올린다.” 삼성전자가 이런 발상의 차세대 AI 메모리 구조 zHBM을 처음 공개했습니다. GPU와 메모리 사이의 거리가 짧아질수록 AI 연산 속도와 전력 효율을 동시에 높일 수 있기 때문에, 이번 발표는 단순 신제품 공개를 넘어 AI 반도체의 메모리 배치 방식 자체를 바꾸려는 시도로 읽힙니다.

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AI 메모리 경쟁의 숨은 병목, HBM 테스트 공정이 주목받는 이유

같은 재료로 빵을 굽는다고 모두 같은 빵이 나오는 건 아닙니다.

오븐 온도를 몇 도로 맞췄는지, 몇 분을 구웠는지 확인하지 않으면 겉은 타고 속은 안 익은 빵이 그대로 팔려나갈 수 있습니다. 반도체도 마찬가지입니다. 잘 만드는 것과, 잘 만들어졌는지 확인하는 것은 전혀 다른 기술입니다.

HBM4와 AI 반도체 시대로 들어서면서, 시장의 시선이 ‘더 잘 만드는 기업’에서 ‘더 정확하게 걸러내는 기업’으로 조금씩 옮겨가고 있습니다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올린 적층 구조라, 일반 메모리보다 검증해야 할 지점이 훨씬 많아졌기 때문입니다.

이 흐름 속에서 왜 테스트 소켓, 프로브, 검사 장비 기업들이 새롭게 주목받고 있는지 정리해보겠습니다.

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